高純蒙脫石的表面電性
來(lái)源：wap.suntesoftware.com 發(fā)布時(shí)間：2022年07月21日
高純蒙脫石的表面電性
高純蒙脫石的表面電性來(lái)自于以下三方面：
破鍵電荷：產(chǎn)生于四面體片的基面、八面體片的端面，系Si-O破鍵和Al-O（OH）破鍵的水解作用所致。當pH值小于7時(shí)，破鍵吸引H+，表面帶正電；當pH值大于7時(shí)，表面帶負電。
八面體片中離子離解形成的電荷：在酸性介質(zhì)中，OH-離解占優(yōu)勢，端面電荷為正電；在堿性介質(zhì)中，Al3+離解占優(yōu)勢，端面電荷為負電；pH值為9.1左右為等電點(diǎn)。
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高純蒙脫石的表面電性來(lái)自于以下三方面：
層電荷：每個(gè)晶胞可達0.6，且不受介質(zhì)pH值的影響。這是蒙脫石表面負電性的主要原因。
破鍵電荷：產(chǎn)生于四面體片的基面、八面體片的端面，系Si-O破鍵和Al-O（OH）破鍵的水解作用所致。當pH值小于7時(shí)，破鍵吸引H+，表面帶正電；當pH值大于7時(shí)，表面帶負電。
八面體片中離子離解形成的電荷：在酸性介質(zhì)中，OH-離解占優(yōu)勢，端面電荷為正電；在堿性介質(zhì)中，Al3+離解占優(yōu)勢，端面電荷為負電；pH值為9.1左右為等電點(diǎn)。
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